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影響真空滅弧室電位分布和電場(chǎng)分布

本文作者:大禹漢光 發(fā)布時(shí)間:2015-10-13

影響真空滅弧室電位分布和電場(chǎng)分布

  網(wǎng)友提問:對(duì)于真空滅弧室,影響其電位分布和電場(chǎng)分布的因素有哪些?

  大禹答復(fù):您好,影響真空滅弧室電位和電場(chǎng)分布的原因有很多,就比如主屏蔽罩的結(jié)構(gòu)尺寸及多個(gè)屏蔽罩。有研究表明,真空滅弧室動(dòng)靜觸頭之間、觸頭和屏蔽罩之間的電位變化比較顯著,滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)分布不均勻。隨著觸頭間隙距離,觸頭半徑及倒角部分曲率半徑的增大,觸頭表面有效面積將增大。可以說,在真空滅弧室內(nèi)安裝多個(gè)屏蔽罩,可以改善內(nèi)部電場(chǎng)分布。

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